HDI线路板厂之三星第二代3nm工艺进入试生产，计划六个月内良率达60%
HDI线路板厂了解到，三星电子第二代3nm工艺技术正在进入试生产，该公司设定了在未来六个月内实现超过60%良率的目标，以与台积电竞争并吸引客户。
线路板厂了解到行业消息人士透露，三星计划在2024年上半年将其第二代3nm环栅（GAA）工艺过渡到量产。正在进行的试生产致力于评估使用这种尖端工艺制造的芯片的性能和可靠性。
预计首款采用三星第二代3nm工艺芯片的设备将是2024年推出的Galaxy Watch 7。Galaxy Watch 7被定位为这一先进工艺节点的试金石，它的成功将助力该工艺应用在三星未来的Exynos 2500应用处理器（AP）中。
行业分析师预测，如果三星的第二代3nm工艺能够提供稳定的良率和性能，它可能会吸引到客户，尤其是高通。尽管高通已经将骁龙8 Gen 3芯片的生产外包给台积电，但它可能会重新与三星合作。
HDI厂了解到台积电方面，其规划了多达五种3nm工艺，分别是N3/N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。在台积电的3nm工艺量产后，苹果成为该工艺的唯一客户，涉及M3、M3 Pro、M3 Max芯片以及iPhone 15 Pro系列使用的A17 Pro芯片，且基本预定了台积电超过90%的3nm产能。台积电最新财报显示，其3nm营收在2023年第四季度贡献了晶圆总收入的15%。
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