在当今手机摄影技术飞速发展的时代，镜头模组微型化的趋势愈发明显。从最初厚重的相机模块，到如今能够巧妙嵌入轻薄手机机身的精巧设计，这一转变不仅提升了手机外观的整体美感，更极大地拓展了其功能多样性。然而，镜头模组的微型化进程并非一帆风顺，​

手机摄像头线路板作为其中的关键组件，正面临着前所未有的 “纳米级” 工艺极限挑战。​

镜头模组的微型化意味着要在更小的空间内集成更多功能，这对线路板的布线密度提出了近乎苛刻的要求。传统线路板的线路宽度和间距通常在几十微米级别，而在纳米级工艺要求下，线路宽度需缩至 10 微米甚至更低，间距也需控制在数微米。为实现这一目标，光刻技术成为关键。先进的光刻设备利用极紫外光（EUV），其波长可低至 13.5 纳米，能够精准地在基板上刻画出纳米级别的线路图案。例如，在一些高端手机摄像头线路板的制造中，通过 EUV 光刻技术，成功将线路宽度降低至 7 微米，实现了更高的布线密度，为更多电子元件的集成提供了可能。​

在纳米级工艺下，对线路板钻孔精度的要求也大幅提升。

手机摄像头PCB微小的孔径不仅要保证精准的位置，还需确保孔壁的光滑度和垂直度。传统的机械钻孔方法已无法满足需求，激光钻孔技术应运而生。高能量的激光束能够瞬间汽化基板材料，钻出直径在数十纳米到数微米的微孔。在钻孔过程中，通过精确控制激光的能量、脉冲宽度和照射时间，可有效控制孔径的大小和形状，确保钻孔精度达到纳米级别。像某些手机摄像头线路板的微孔孔径精度已可控制在 ±50 纳米以内，极大地提高了线路板的电气连接性能。​

线路板的表面平整度在纳米级工艺中同样至关重要。哪怕极其微小的凹凸不平，都可能影响电子元件的焊接质量和信号传输。为解决这一问题，化学机械抛光（CMP）技术被广泛应用。该技术通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用，能够将线路板表面粗糙度降低至纳米级别。经过 CMP 处理后，线路板表面的粗糙度可低至 0.5 纳米以下，为电子元件的高精度贴装和稳定的信号传输奠定了坚实基础。​

PCB厂认识到随着镜头模组微型化加速，手机摄像头线路板必须不断突破 “纳米级” 工艺极限。通过光刻、激光钻孔、化学机械抛光等一系列先进技术的应用与创新，线路板得以在更小的空间内实现更高的性能，为手机摄影的持续革新提供了有力支撑，推动手机摄像技术迈向新的高度。