导入采用IC基板的类基板HDI技术

继全面导入任意层高密度连接板，据了解，为了有利大量导入系统级封装(SiP)技术，来达到次系统模块化的目标，苹果明年(2017)推出的iPhone 7S/8将不再使用普及的高密度连结板，而是改为以IC基板技术生产的类基板(substrate-like)HDI。

事实上，苹果一直致力于手机内建SiP次系统模块的发展，iPhone 6中内建3个SiP次系统模块，iPhone 7增加至6个SiP次系统模块，一般预料iPhone 7S/8手机将搭载更多SiP次系统模块，因此从HDI板改成类基板HDI，以加快导入SiP技术是合理的发展方向。苹果的iPhone 7S/8会将原本的一大片传统HDI板拆解成4小块类基板HDI，除了可加快导入SiP技术，还可空出更大空间来增加电池容量。

为了要配合SiP技术，类基板HDI的电路板线距线宽将朝向细间距(fine pitch)方向发展，特别是线距线宽必须微缩到35微米以下，这是与HDI板的最大不同之处。也因为线距线宽的微缩程度极大，因此传统印刷电路板HDI制程已经不敷所需，类基板HDI必须采用半导体的IC基板制程生产。